核心技術
提供全球領先的寬禁帶半導體領域關鍵材料和設備。
萬德思諾集團立足于寬禁帶半導體行業關鍵材料、制造設備及配件的銷售和研發。通過技術引進和自主研發相結合,依托高校和科研單位的產研結合,聯合行業龍頭企業,打通產業化的關鍵節點,推動整個行業的穩步發展。萬德思諾致力于推動和實現氧化鎵材料及器件的全面實用化和產業化。為了實現這一目標,集團公司牽頭發起成立“亞洲氧化鎵聯盟”,依托聯盟平臺的資源和優勢,促進氧化鎵業內同仁的技術交流和產業合作。通過不斷吸收產業鏈各環節的參與者,推動氧化鎵行業健康、快速的發展。
萬德思諾集團秉承“引領尖端技術、服務行業客戶”的理念,始終堅持為寬禁帶半導體行業客戶提供國際上尖端的材料、設備和技術工藝。作為國內最早布局和銷售第四代半導體(氧化鎵)相關材料和設備的企業,通過整合行業技術及資源,針對不同客戶需求,提供“材料+設備+工藝”的整體解決方案。
萬德思諾致力于成為寬禁帶半導體行業設備及材料專業供應商 !
Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!
核心技術
提供全球領先的寬禁帶半導體領域關鍵材料和設備。
資源整合
深耕化合物集寬禁帶半導體行業,提供全產業鏈的材料和設備解決方案。
一站式服務
提供詳細的售前技術咨詢服務,可安排免費的樣品測試。多樣化的交易方式,滿足不同客戶采購要求。提供設備的安裝、保養、維修、升級等一站式服務。
專業團隊
公司研發人員長期從業于半導體行業,有豐富的設備使用、安裝、調試經驗,從專業角度為您提供專業服務。
成本優勢
從技術方案到生產線運營管理,公司有完整的科學的成本管控方案,從多角度為客戶打造最優方案。
2025-11-27 14:32:05
NCT特別推出一款小尺寸的氧化鎵厚膜外延片,該產品承襲大尺寸外延成熟工藝,采用 HVPE 技術生長,具備高純度、高均勻性優勢,厚度達 10 微米、尺寸為 10mm×12mm。
2025-11-27 14:21:11
集成方法結合了剝離轉移和晶圓級鍵合,避免了許多傳統方法中所需的離子注入和界面氧化層,同時實現了陣列薄膜幾何尺寸的均勻性,并可將總面積擴展至晶圓級。
2025-11-27 14:22:48
本文展示了一種高性能的基于 Ga2O3 的 MISM 光控二極管(MISM PCD),其集成了超薄 HfO2 絕緣層,實現了超低暗電流(5?V 下約 20?fA)和優異的光響應度(2188?A/W)。
2025-11-27 14:24:29
通過結合磁光光致發光光譜與時間分辨光致發光測量,確定了主導 710 nm 發光的中心電子結構
.png)
.png)
.png)
.jpg)
.jpg)
.jpg)